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What (who) is HEMT - definition
HEMT
Il transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica (sigla inglese HEMT per High Electron Mobility Transistor o HFET per Heterostructure Field Effect Transistor) è caratterizzato da una giunzione tra due semiconduttori con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione, ed è utilizzato nel campo delle microonde. L'HEMT sfrutta la formazione di elettroni ad alta mobilità elettronica presenti nella buca di potenziale, generata dall'eterogiunzione tra i due semiconduttori, ad esempio l'arseniuro di gallio e l'n-AlGaAs, al di sotto del livello di Fermi.
